-
1 диффузия носителей заряда
( в полупроводниках) charge carrier diffusionРусско-английский физический словарь > диффузия носителей заряда
-
2 захват носителей
( в полупроводниках) carrier trapping -
3 экстракция носителей заряда
( в полупроводниках) extraction of carriersРусско-английский научно-технический словарь Масловского > экстракция носителей заряда
-
4 легирование (в полупроводниках)
легирование
Введение легирующей добавки в полупроводник для изменения его электрических свойств путем создания концентрации носителей n-типа или p-типа. Легирование обычно выполняется с помощью процессов диффузии или ионной имплантации.
[ http://www.cscleansystems.com/glossary.html]Тематики
EN
Русско-английский словарь нормативно-технической терминологии > легирование (в полупроводниках)
-
5 эффект уплотнения
( носителей в полупроводниках) crowding effectРусско-английский политехнический словарь > эффект уплотнения
-
6 crowding effect
1) Биология: эффект перенаселения2) Техника: эффект уплотнения (носителей в полупроводниках), эффект шнурования (тока)3) Психология: эффект чрезмерной концентрации4) Вычислительная техника: набегание (битов или знаков), эффект уплотнения (носителей)5) Реклама: эффект вытеснения, эффект переполненности6) Электротехника: дробовой эффект -
7 эффект уплотнения
1) Engineering: crowding effect (носителей в полупроводниках)2) Information technology: crowding effect (носителей) -
8 crowding effect
1. эффект шнурования( тока)
2. эффект уплотнения( носителей в полупроводниках)
3. вчт набегание( битов или знаков)Большой англо-русский и русско-английский словарь > crowding effect
-
9 crowding effect
1) эффект шнурования ( тока)3) вчт. набегание ( битов или знаков)Англо-русский словарь технических терминов > crowding effect
-
10 carrier trapping
-
11 время
* * *вре́мя с.
timeв дневно́е вре́мя — during daylight hours, in the daytime, by dayв и́стинном масшта́бе вре́мени — on a real time basisв ночно́е вре́мя — during the hours of darkness, at nightв реа́льном масшта́бе вре́мени — on a real time basisдо после́днего вре́мени — until recentlyзави́сящий от вре́мени — time-dependent (e. g., of current)испо́льзуемый в настоя́щее вре́мя — be now in useне зави́сящий от вре́мени — time-independentобращё́нный во вре́мени — time-reversedотнима́ть мно́го вре́мени — be time-consuming (e. g., of experiment)отсчи́тывать вре́мя ( о часах) — keep timeотсчи́тывать вре́мя в обра́тном поря́дке — count down (time)отсчи́тывать вре́мя от нуля́ вверх — count up (time)постоя́нный во вре́мени — time-constant, stationaryсо вре́менем — in due course, in the course of time, in timeсре́дний по вре́мени — time-averageс тече́нием вре́мени — in the course of timeабсолю́тное вре́мя — absolute timeастрономи́ческое вре́мя — astronomical timeа́томное вре́мя — atomic timeвре́мя безде́йствия ( линии связи) — unoccupied [idle] timeвре́мя безотка́зной рабо́ты — time between failures, TBFвре́мя безызлуча́тельной релакса́ции — non-radiative relaxation timeвре́мя бла́нка тлв., рлк. — blanking timeвре́мя блокиро́вки приё́мника — receiver blocking timeвре́мя блокиро́вки э́хо-загради́теля — hangover time of an echo suppressorвре́мя взаимоде́йствия — interaction timeвре́мя включе́ния1. ( полупроводниковых приборов) (turn-)on time2. (контактов реле, автомата и т. п.) make-timeвре́мя возвра́та ( в исходное состояние) — reset timeвре́мя восстановле́ния — recovery timeвре́мя восстановле́ния управле́ния тиратро́ном по се́тке — grid-recovery timeвсеми́рное вре́мя — universal timeвспомога́тельное вре́мя ( на вспомогательные операции) — auxiliary [handling] timeвре́мя втя́гивания ( реле) — pull-in timeвре́мя вхожде́ния в синхрони́зм ( генератора колебаний) — locking timeвре́мя вы́борки ( из памяти) — access timeвре́мя вы́дачи информа́ции — information access timeвре́мя выде́рживания ( радиоактивных продуктов) — decay [“cooling”] timeвре́мя вы́держки1. (напр. бетона) curing time2. ( в нагревательных печах) holding timeвре́мя выключе́ния ( полупроводниковых приборов) — turn-off timeвре́мя вы́лета ( самолёта) — departure timeвре́мя высве́чивания — de-excitation [luminescence] time, fluorescent lifetimeвре́мя вычисле́ния — computing timeвре́мя гаше́ния обра́тного хо́да ( развёртки) — blanking periodвре́мя го́да — seasonвре́мя горе́ния дуги́ — arc-duration, arcing timeгражда́нское вре́мя — civil timeгри́нвичское вре́мя — Greenwich timeвре́мя де́йствия защи́ты — time of operation (of protective gear, e. g., relays)декре́тное вре́мя — legal timeдискре́тное вре́мя — discrete timeвре́мя диффу́зии — diffusion time (in semiconductors)вре́мя диффузио́нного перено́са — diffusion transit time (in semiconductors)вре́мя диэлектри́ческой релакса́ции — dielectric relaxation time (in semiconductors)вре́мя до разруше́ния — time to failureвре́мя до разры́ва — time to ruptureвре́мя дре́йфа ( носителей заряда в полупроводниках) — drift timeедини́чное вре́мя — unit timeвре́мя жи́зни ( носителей зарядов) — life(time), survival timeвре́мя жи́зни, излуча́тельное — radiative lifetimeза́данное вре́мя — preset timeвре́мя, за́данное по гра́фику — scheduled timeвре́мя заде́ржки — delay timeвре́мя заде́ржки и́мпульса — pulse-delay timeвре́мя замедле́ния — slowing-down timeвре́мя заня́тия свз. — holding timeвре́мя запа́здывания — time lag, lag timeвре́мя запа́здывания и́мпульса — pulse delay time (Примечание. Русский термин вре́мя запа́здывания и́мпульса обозначает интервал времени между передними фронтами входного и выходного импульсов на уровне 50% от максимального значения, английский термин pulse delay time — на уровне 10% от максимального значения; пример: pulse delay time is … at 50% peak.)вре́мя за́писи — recording [writing] timeвре́мя заря́дки ( батареи) — charging timeвре́мя заступле́ния (напр. на дежурство) — check-in timeвре́мя затуха́ния ( импульса) — fall timeвре́мя захва́та ( носителей зарядов в полупроводниках) — capture timeзвё́здное вре́мя — sidereal timeвре́мя зво́на радио — ringing timeзона́льное вре́мя — zone timeвре́мя изготовле́ния — production timeвре́мя излуча́тельной релакса́ции — radiative relaxation timeвре́мя изодро́ма — integral action timeвре́мя интегра́ции ( сигналов) — integration timeвре́мя иска́ния тлф. — selection timeвре́мя испо́льзования це́пи ( в проводной связи) — circuit timeисте́кшее вре́мя — the time elapsed afterи́стинное вре́мя1. ав. true time2. астр. apparent timeвре́мя когере́нтности (лазера, мазера) — coherence timeмаши́нное вре́мя — machine timeвре́мя междоли́нного рассе́яния — intervalley scattering time (in semiconductors)вре́мя ме́жду се́риями и́мпульсов набо́ра но́мера тлф. — interdigit hunting timeме́стное вре́мя — local timeвре́мя на перемеще́ние ( слитка) — ingot manipulation timeвре́мя на перемеще́ние нажимны́х винто́в ( прокатного стана) — screwdown timeвре́мя нараста́ния и́мпульса — pulse rise timeвре́мя нараста́ния колеба́ний — build-up timeвре́мя нараста́ния то́ка — current-rise timeвре́мя на установле́ние и разъедине́ние соедине́ния тлф. — operating timeвре́мя нача́ла разгово́ра тлф. — “time on”, starting time of a callнепреры́вное вре́мя вчт. — continuous timeнерабо́чее вре́мя — down [idle] timeвре́мя облуче́ния — exposure [irradiation] timeвре́мя обрабо́тки — processing timeвре́мя обра́тного хо́да ( строчной и кадровой развёрток) — retrace [return] timeвре́мя обраще́ния1. вчт. access time2. эл. time of circulationвре́мя обслу́живания мат. — holding timeвре́мя ожида́ния ( в теории массового обслуживания) — waiting timeвре́мя ожида́ния отве́та ста́нции тлф. — answering intervalвре́мя ожида́ния установле́ния междунаро́дного соедине́ния — service interval of an international callвре́мя оконча́ния разгово́ра — “time off”, finish time of a callоперацио́нное вре́мя — operation timeвре́мя опроки́дывания ( спусковой схемы) — flip-over timeвре́мя опро́са ( в телеметрической системе) — sampling timeвре́мя опустоше́ния лову́шки — trap release timeвре́мя осажде́ния ( покрытия) — deposition timeвре́мя отка́чки вак. — pump-down timeвре́мя отключе́ния (повреждения, короткого замыкания и т. п.) — clearing time (of a circuit-breaker, fuse, etc.)вре́мя откры́тия кла́пана — valve-opening time, valve-opening periodвре́мя отла́дки — debug timeвре́мя отла́дки програ́ммы — program(me) testing timeвре́мя отпуска́ния ( реле) — release [drop-out] timeвре́мя отсу́тствия колеба́ний рлк. — resting timeвре́мя переключе́ния — switching timeвре́мя переключе́ния в закры́тое состоя́ние — turn-off time (in semiconductors)вре́мя переключе́ния в откры́тое состоя́ние — turn-on time (in semiconductors)вре́мя перено́са носи́телей заря́дов — transit [transport] timeвре́мя перехо́да ( из одного состояния в другое) — transition timeвре́мя перехо́да из норма́льного в сверхпроводя́щее состоя́ние — normal-superconducting transition [n-s transition] timeвре́мя перехо́да из сверхпроводя́щего в норма́льное состоя́ние — superconducting-normal transition [s-n transition] timeвре́мя перехо́дного проце́сса — response time, transient responseперехо́дное вре́мя ( движущего контакта) — transit timeвре́мя поворо́та анте́нны — slew timeвре́мя повто́рного включе́ния — reclosing timeподготови́тельное вре́мя — preparation timeподготови́тельно-заключи́тельное вре́мя — setting-up timeвре́мя по́иска ( информации) — retrieval timeполё́тное вре́мя — flight timeвре́мя полувыра́внивания — rise time at 50% (of self-regulation)вре́мя по расписа́нию — schedule timeвре́мя последе́йствия э́хо-загради́теля — hangover time of an echo suppressorвре́мя послесвече́ния экра́на — after-glow time, persistenceвре́мя посы́лки вы́зова тлф. — ringing timeпоясно́е вре́мя — standard [zone] timeвре́мя пребыва́ния (напр. материала в аппарате) — dwell time, stay period, duration of stayвре́мя преобразова́ния — conversion timeвре́мя прибы́тия — arrival timeвре́мя приё́ма зака́за на разгово́р тлф. — booking [filing] timeвре́мя приё́мистости ( двигателя) — acceleration period, acceleration timeвре́мя прилипа́ния носи́телей заря́да — trapping time (in semiconductors)вре́мя прирабо́тки дви́гателя — running-in [breaking-in] periodвре́мя прогре́ва ( двигателя) — warm-up timeпроизводи́тельное вре́мя — production timeвре́мя прока́тки — rolling time, time in rollsвре́мя пролё́та (напр. электронов) — transit timeвре́мя пролё́та доме́на (в устройствах, использующих эффект Ганна) — domain transit timeвре́мя просмо́тра ( потенциалоскопа) — viewing timeвре́мя просто́я — down [idle] timeвре́мя просто́я кана́ла цепи́ свя́зи — circuit outage [lost circuit] timeвре́мя просто́я радиоста́нции — off-air timeвре́мя прохожде́ния сигна́ла — propagation [transmission] timeвре́мя прохожде́ния сигна́ла до це́ли и обра́тно рлк. — round-trip travel [round-trip propagation] timeвре́мя прохожде́ния че́рез афе́лий — the time of aphelion passageвре́мя прохожде́ния шкалы́ ( в измерительных приборах) — periodic timeвре́мя прямо́го восстановле́ния — forward recovery time (in semiconductors)пусково́е вре́мя ( двигателя) — starting timeрабо́чее вре́мя — operating timeвре́мя развё́ртывания (напр. радиостанции) — installation [set-up] timeвре́мя разго́на ( двигателя) — acceleration period, acceleration timeвре́мя разогре́ва — warm-up timeразреша́ющее вре́мя — resolving [resolution] timeвре́мя разря́да — discharge timeвре́мя раска́чки ( контура) — build-up timeвре́мя распа́да — decay timeвре́мя распознава́ния ( образа) — (pattern) recognition timeвре́мя распростране́ния ( сигнала) — propagation timeрасчё́тное вре́мя — estimated timeвре́мя реа́кции — reaction time, time lagвре́мя ревербера́ции — reverberation timeвре́мя регули́рования ( время перехода системы к определённому установившемуся состоянию) — settling timeвре́мя релакса́ции — relaxation timeручно́е вре́мя — manual timeвре́мя самовыра́внивания — rise time (of a self-regulating system)вре́мя свобо́дного иска́ния тлф. — hunting timeвре́мя свобо́дного пробе́га ( электрона) — mean free timeсо́лнечное вре́мя — solar timeсо́лнечное, сре́днее вре́мя — mean solar timeвре́мя спа́да и́мпульса — pulse decay [fall] timeвре́мя сплавле́ния — alloying time (in semiconductors)вре́мя сраба́тывания ( реле) — operate [actuation] timeвре́мя сраба́тывания счё́тчика части́ц — resolving time of a radiation counterвре́мя счё́та ( импульсов) — count(ing) timeвре́мя счи́тывания — read-out timeтарифици́руемое вре́мя тлф. — paid [toll, chargeable] timeвре́мя теплово́й релакса́ции — thermal relaxation [thermal recovery] time (in semiconductors)вре́мя техни́ческого обслу́живания — servicing timeвре́мя тро́гания ( реле) — time for motion to startвре́мя удержа́ния абоне́нта тлф. — period of number reservation in long-distance serviceвре́мя успокое́ния ( приборов) — damping timeвре́мя установле́ния1. ( в импульсной технике) rise time2. ( в системах авторегулирования) settling timeвре́мя установле́ния равнове́сия — equilibration [equilibrium] timeвре́мя установле́ния соедине́ния тлф. — connection [setting-up] timeвре́мя ухо́да (напр. с дежурства, смены) — check-out timeвре́мя формова́ния — moulding timeхарактеристи́ческое вре́мя — characteristic timeвре́мя холосто́го хо́да — idle timeвре́мя хране́ния — storage timeвре́мя ци́кла — cycle timeвре́мя ци́кла па́мяти — memory cycle timeвре́мя части́чного перехо́да в положе́ние поко́я — partial restoring timeвре́мя чувстви́тельности — sensitive period, sensitive timeшту́чное вре́мя — time per piece, floor-to-floor timeвре́мя экспони́рования — time of exposure, exposureэфемери́дное вре́мя астр. — ephemeris timeя́дерное вре́мя — nuclear traversal time* * * -
12 Fangstelle
сущ.1) тех. центр захвата (в полупроводниках)2) электр. ловушка захвата (носителей заряда)3) микроэл. ловушка, ловушка захвата (носителей) -
13 пробой
пробой м. эл. Durchbruchentladung f; эл. Durchschlag m; Krampe f; эл. Überschlag m; эл. Überschlagen n -
14 charge carrier diffusion
English-russian dictionary of physics > charge carrier diffusion
-
15 диффузия
[лат. diffusio — распространение, растекание, рассеивание]процесс самопроизвольного взаимопроникновения частиц соприкасающихся веществ (газа, жидкости, твердого тела), обусловленное тепловым движением молекул (самопроизвольное выравнивание концентрации вещества в системе). Различают Д. коллоидных частиц (броуновская Д.), в твердых телах, молекулярную, нейтронов, носителей заряда в полупроводниках и др. Закономерностям Д. подчиняются процессы физико-химической миграции элементов в земных недрах и во Вселенной, а также процессы жизнедеятельности клеток и тканей живых организмов. Д. — один из основных процессов, обеспечивающих перемещение веществ в клетках и тканях (напр., поглощение корневыми клетками растений минеральных элементов питания азота, фосфора и калия).Толковый биотехнологический словарь. Русско-английский. > диффузия
-
16 extraction of carriers
English-Russian scientific dictionary > extraction of carriers
-
17 bombardment induced conductivity
проводимость за счёт электронной бомбардировки; наведённая проводимость ( увеличение числа носителей зарядов в полупроводниках или диэлектриках)Англо-русский словарь промышленной и научной лексики > bombardment induced conductivity
-
18 DLTS
deep level transport spectroscopy — ёмкостная спектроскопия (метод исследования плотности глубоких дефектов в полупроводниках по спектру эмиссии носителей из глубоких энергетических уровней при изменении температуры) -
19 electrophotography
электрофотография, ксерография (получение изображения с помощью фотовозбуждения электрического рельефа на полупроводниках)1. электрофотография (способ репрографии с использованием носителей, электрические свойства которых изменяются под действием излучения)Англо-русский словарь промышленной и научной лексики > electrophotography
-
20 generation-recombination noise
генерационно-рекомбинационный (ГР) шум (флуктуации процессов генерации и рекомбинации носителей заряда в полупроводниках)Англо-русский словарь промышленной и научной лексики > generation-recombination noise
- 1
- 2
См. также в других словарях:
РАССЕЯНИЕ НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА — в кристаллич. твёрдых телах процесс взаимодействия электрона проводимости (дырки) с нарушениями идеальной периодичности кристалла, сопровождающийся переходом электрона из состояния с импульсом p в состояние с импульсом Рассеяние наз. упругим,… … Физическая энциклопедия
КОНТАКТНЫЕ ЯВЛЕНИЯ В ПОЛУПРОВОДНИКАХ — неравновесные электронные явления, возникающие при прохождении электрич. тока через контакт полупроводника с металлом или электролитом или через контакт двух различных полупроводников (гетеропереход )либо через границу двух областей одного и того … Физическая энциклопедия
ДРЕЙФ НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА — упорядоченное движение подвижных носителей заряда в твёрдом теле под действием внеш. полей. Д. н. з. накладывается на их беспорядочное (тепловое) движение, но скорость Д. н. з. vдр обычно мала по сравнению со скоростью теплового движения. Под… … Физическая энциклопедия
ИНЖEКЦИЯ НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА — увеличение концентрации носителей заряда в полупроводнике (диэлектрике) в результате переноса носителей током из областей с повыш. концентрацией (металлич. контактов, гетеропереходов )под действием внеш. электрич. поля. И. н. з. приводит к… … Физическая энциклопедия
ЭКСТРАКЦИЯ НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА — в полупроводниках, обеднение приконтактной области ПП неосновными носителями заряда при протекании тока через контакт ПП с металлом (см. ШОТКИ БАРЬЕР) или др. полупроводником (см. ЭЛЕКТРОННО ДЫРОЧНЫЙ ПЕРЕХОДГЕТЕРОПЕРЕХОД,) при запорном… … Физическая энциклопедия
ДИФФУЗИЯ НОСИТЕЛЕЙ — перемещение носителей заряда в полупроводниках, обусловленное неоднородностями их концентрации. В результате Д. н. в ПП возникает электрич. ток плотностью: j=eDngradrn eDpgradp, где е заряд эл на, n концентрация эл нов проводимости, р дырок, Dn,… … Физическая энциклопедия
ЗАХВАТ НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА — в полупроводниках переход электрона из зоны проводимости на примесный уровень в запрещённой зоне полупроводника либо с примесного уровня в валентную зону (последний случай удобнее рассматривать как переход дырки из валентной зоны на примесный… … Физическая энциклопедия
Подвижность носителей тока — Подвижность носителей заряда коэффициент пропорциональности между дрейфовой скоростью носителей и приложенным внешним электрическим полем. Определяет способность электронов и дырок в металлах и полупроводниках реагировать на внешнее воздействие.… … Википедия
Подвижность носителей заряда — коэффициент пропорциональности между дрейфовой скоростью носителей и приложенным внешним электрическим полем. Определяет способность электронов и дырок в металлах и полупроводниках реагировать на внешнее воздействие. Размерность подвижности… … Википедия
Рекомбинация электронов и дырок в полупроводниках — Рекомбинация электронов и дырок в полупроводниках, исчезновение пары электрон проводимости ‒ дырка в результате перехода электрона из зоны проводимости в валентную зону. Избыток энергии может выделяться в виде излучения (излучательная Р.).… … Большая советская энциклопедия
легирование (в полупроводниках) — легирование Введение легирующей добавки в полупроводник для изменения его электрических свойств путем создания концентрации носителей n типа или p типа. Легирование обычно выполняется с помощью процессов диффузии или ионной имплантации.… … Справочник технического переводчика
